您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTC62N15P

IXTC62N15P 发布时间 时间:2025/8/6 6:27:52 查看 阅读:12

IXTC62N15P是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效率电源转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和较大的额定电流,适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、马达控制以及各种需要高功率密度和高效率的电路中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极击穿电压(VDS):150V
  连续漏极电流(ID):62A
  导通电阻(RDS(on)):最大值40mΩ(典型值可能会更低)
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-247AC

特性

IXTC62N15P的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件的RDS(on)最大值为40mΩ,在高电流条件下依然能够保持较低的压降和发热。
  此外,该MOSFET具有较高的耐压能力,VDS达到150V,适用于中高压电源转换系统,例如工业电源、电动工具、汽车电子以及可再生能源系统。
  其连续漏极电流为62A,意味着该器件能够在高负载条件下稳定运行,适用于高功率密度的设计。同时,IXTC62N15P采用了TO-247AC封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,能够适应严苛的工作环境。
  该器件的栅极-源极电压范围为±20V,确保在各种驱动条件下具有良好的稳定性和可靠性,同时避免因过高的栅极电压而导致器件损坏。工作温度范围为-55°C至+175°C,表明其在极端温度条件下依然能够正常运行,适合工业和汽车应用。
  综上所述,IXTC62N15P以其低导通电阻、高耐压、大电流能力和优异的封装散热性能,成为高效率电源转换应用的理想选择。

应用

IXTC62N15P广泛应用于各种高功率和高效率的电源系统中,例如DC-DC转换器、同步整流器、马达控制电路、电池管理系统、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通特性和高耐压能力,使其在电动车、电动工具、储能系统和工业电源等领域中具有很高的应用价值。

替代型号

IRF1405, STP60NF15, FDP62N15

IXTC62N15P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTC62N15P参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PolarHT™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 31A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2250pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS220?
  • 供应商设备封装ISOPLUS220?
  • 包装管件