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TISP4220H3BJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 19:02:59 查看 阅读:38

TISP4220H3BJR-S是一款由STMicroelectronics制造的双向电压抑制二极管(TVS),专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌电流和其他瞬态电压事件的影响而设计。该器件具有快速响应时间和高能量吸收能力,适用于各种通信接口和高速数据线路的保护。

参数

类型:双向TVS
  工作电压:22V
  峰值脉冲电流(8/20μs):40A
  钳位电压(Ipp):35V
  响应时间:1ps
  封装形式:SOT-23-3
  最大反向漏电流:10μA
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

TISP4220H3BJR-S的主要特性之一是其卓越的瞬态电压保护性能。该器件能够在极短的时间内对电压瞬变做出反应,从而有效限制电压到一个安全水平,防止下游电路受损。其双向特性使其适用于交流信号线路或需要双向保护的场合。此外,该器件的峰值脉冲电流能力高达40A,能够承受多次高能量瞬态事件而不失效,从而提供长期可靠的保护。
  另一个显著优势是其小型SOT-23-3封装,这种紧凑的设计使其非常适合空间受限的便携式电子设备和高密度电路板设计。该封装还具有良好的热管理和低寄生电感,有助于提高器件在高频和高能量脉冲下的性能。TISP4220H3BJR-S的低钳位电压确保在保护过程中施加到受保护器件上的电压尽可能低,从而进一步提升系统可靠性。
  该TVS器件具有极低的漏电流,在正常工作条件下对电路性能影响极小,适用于高精度模拟和高速数字信号线路。其快速响应时间低于1皮秒,确保在电压瞬变发生的瞬间即可启动保护机制,适用于对时间敏感的应用,如高速通信接口(USB、HDMI、LAN等)和敏感的微控制器单元(MCU)。此外,该器件符合IEC 61000-4-2标准的四级ESD保护要求,适用于工业和消费类电子产品的电磁兼容性(EMC)设计。

应用

TISP4220H3BJR-S广泛应用于各种电子系统中,用于保护通信接口、数据线路和电源输入端口。常见应用包括USB接口保护、以太网端口保护、HDMI和DisplayPort接口保护、移动电话和便携设备中的信号线路保护、工业控制系统中的传感器接口保护以及汽车电子系统中的通信总线保护。由于其双向特性,也适用于需要双向电压保护的交流信号线路。

替代型号

PESD22A2BVR-S, SMAJ22CA, TPD3E081-Q1

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TISP4220H3BJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO60 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM160 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 正向电压下降3 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DO-214AA
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 工厂包装数量3000