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IXTC250N075T 发布时间 时间:2025/8/6 10:04:03 查看 阅读:25

IXTC250N075T 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要设计用于高电流和高频率应用,如电源转换器、DC-DC 转换器、电机控制和逆变器等。该器件采用 TO-247 封装,具有低导通电阻和高耐压特性,适合于要求高效能和高可靠性的应用场合。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流:250 A
  最大漏源电压:75 V
  最大栅源电压:±20 V
  导通电阻(Rds(on)):典型值 2.8 mΩ(最大值 3.6 mΩ)
  耗散功率:500 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

IXTC250N075T 以其卓越的导通性能和开关特性而著称。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流下也能保持较低的功率损耗,从而提高了整体系统的效率。此外,该器件的热阻较低,有助于在高负载条件下有效散热,延长使用寿命。
  这款 MOSFET 采用了先进的沟槽栅技术,优化了开关性能,使其适用于高频开关电路。其高耐压特性(75V)确保了在高压应用中的稳定性和可靠性。
  TO-247 封装设计不仅提供了良好的电气性能,还具备出色的机械稳定性和热管理能力,适合用于各种高功率工业和消费类电子产品中。此外,该器件的栅极驱动要求较低,适用于常见的栅极驱动电路设计,降低了系统设计的复杂性。
  IXTC250N075T 还具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受过电流,从而提高了系统的鲁棒性和可靠性。这些特性使得该器件非常适合用于电源管理和能量转换系统中。

应用

IXTC250N075T 主要用于高功率、高效率的电力电子系统中,包括但不限于以下应用:
  1. 电源转换器:如 DC-DC 升压/降压转换器、AC-DC 电源模块等,适用于服务器电源、通信设备电源和工业电源系统。
  2. 电机控制:可用于电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器、伺服驱动器和工业自动化设备。
  3. 逆变器:用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和电动车逆变系统,实现高效的能量转换。
  4. 电池管理系统:应用于电动车(EV)或储能系统中的电池充放电管理电路。
  5. 工业自动化:如高频感应加热设备、工业电源模块等需要高效功率控制的场合。
  由于其高电流能力和优异的热性能,IXTC250N075T 非常适合用于那些对可靠性和效率要求较高的应用领域。

替代型号

SiZ250Dt, IXTK250N075T, IXTF250N075T

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IXTC250N075T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C128A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9900pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS220?
  • 供应商设备封装ISOPLUS220?
  • 包装管件