类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：55V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.5mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220

IXTC110N055T具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件能够承受高达110A的连续漏极电流，适用于高电流负载的应用。此外，该MOSFET具备较高的栅源电压容限（±20V），增强了在复杂工作环境中的稳定性和可靠性。其TO-220封装不仅便于安装，还具有良好的热管理能力，有助于器件在高功率操作时维持较低的工作温度，从而延长使用寿命。
　　另一个重要特性是其快速的开关性能，这得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使得IXTC110N055T在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护作用。

IXTC110N055T广泛应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及各种工业自动化和电源管理系统。由于其优异的导通特性和高电流承载能力，该MOSFET也常用于大功率LED驱动、电源适配器和UPS（不间断电源）系统。在汽车电子领域，IXTC110N055T可用于车载充电器、电动工具和电动车辆的功率控制系统，满足高可靠性和耐久性的需求。

IRF1405, STP110N55F5, FDP110N55F