时间：2025/8/6 9:50:16
阅读：23
IXTB30N100L是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、高电流应用而设计。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。IXTB30N100L广泛应用于工业电源、电机控制、逆变器和高功率电源转换设备中。其主要特点是耐高压、高效率和可靠性，适合在恶劣工作环境下使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1000V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：30A
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.27Ω
功率耗散（PD）：400W
封装形式：TO-247
IXTB30N100L具备多项高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其漏源电压达到1000V，能够在高压环境下稳定工作，适用于高耐压需求的电路设计。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.27Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的最大连续漏极电流为30A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率输出的应用场景。
在封装方面，IXTB30N100L采用TO-247封装，具有良好的散热性能，有助于降低温度上升，提高器件的稳定性和可靠性。其功率耗散能力为400W，可在高功率运行条件下保持良好的热管理。
该MOSFET的栅源电压范围为±30V，提供了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种驱动电路设计。此外，它的工作温度范围宽，从-55°C至+150°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和高可靠性应用场景。
IXTB30N100L还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。这使其成为电源转换、电机驱动、逆变器和不间断电源（UPS）等应用的理想选择。
IXTB30N100L适用于多种高功率电子设备和系统，特别是在需要高压和高效率的场合。典型应用包括工业电源、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）、焊接设备、高频电源转换器以及高压直流电源系统。该器件还可用于开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中，提供高效的功率转换和稳定的运行性能。此外，IXTB30N100L也适用于新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
STF30NM60ND, FGP30N120D, IXTP30N100L
