IX2933CE 是一款由 IXYS 公司设计的双路高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路,广泛应用于功率电子系统中,例如电机控制、电源转换器和逆变器。该芯片采用了高速 CMOS 技术制造,提供低传播延迟和高输出电流能力,能够高效驱动功率 MOSFET 或 IGBT 器件。IX2933CE 提供了两个独立的驱动通道,每个通道都可以提供高达 1.5A 的峰值输出电流,适用于高频率开关应用。
供电电压范围:10V 至 20V
输出峰值电流:±1.5A(每个通道)
传播延迟:典型值为 50ns
上升/下降时间:典型值为 15ns(10% 到 90%)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:16 引脚 SOIC
输入逻辑兼容性:TTL 和 CMOS
IX2933CE 的主要特性之一是其双通道设计,使得它能够同时驱动两个独立的功率开关器件,从而简化了多通道功率系统的驱动电路设计。
该器件具备高输出电流能力,每个通道可提供高达 1.5A 的峰值电流,这使得它可以高效地驱动具有高栅极电荷需求的功率 MOSFET 或 IGBT。
芯片内置的输入缓冲器可以接收 TTL 或 CMOS 电平信号,并且具有高抗噪能力,确保在高干扰环境下仍能稳定工作。
其低传播延迟和快速上升/下降时间使其非常适合用于高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和逆变器系统。
此外,IX2933CE 还具有宽工作电压范围(10V 至 20V),允许其与不同类型的电源系统兼容,并且内部具有欠压锁定(UVLO)保护功能,防止在低电压条件下误操作。
该器件的工作温度范围广泛(-40°C 至 +125°C),适合工业和汽车等严苛环境下的应用。
IX2933CE 主要用于需要高效驱动功率 MOSFET 或 IGBT 的场合,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、无刷直流电机驱动、逆变器、工业自动化设备和电动汽车中的功率控制模块。
在电机控制系统中,该芯片可以用于驱动 H 桥电路中的上下桥臂开关,实现高效的电机控制。
在电源转换系统中,IX2933CE 可用于驱动高频 MOSFET,以提高电源转换效率并减小磁性元件的体积。
此外,该器件也适用于光伏逆变器、储能系统和工业变频器等高功率应用领域。
TC4420, IR2110, LM5114