时间：2025/8/6 8:58:06
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IXTA90N15T 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流和高功率应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和出色的热性能。IXTA90N15T 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统。该器件广泛用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：90A
漏极-源极电压（VDS）：150V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值 9.5mΩ（在 VGS = 10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IXTA90N15T 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，它的低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下最小的功率损耗，提高了系统效率。其次，该 MOSFET 具有高耐压能力，漏极-源极电压（VDS）可达 150V，适用于多种高电压应用。此外，IXTA90N15T 在高温环境下仍能保持稳定性能，其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适合在恶劣工业环境中使用。
该器件还采用了先进的平面技术，提供了卓越的雪崩能量耐受能力，确保在瞬态过压条件下器件的可靠性。TO-263（D2PAK）封装设计不仅提供了良好的热管理，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和紧凑的 PCB 设计。此外，该 MOSFET 的快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
IXTA90N15T 的栅极驱动电压范围为 ±20V，允许使用标准的 10V 栅极驱动器进行控制，简化了设计和应用。该器件还具有较低的输入电容（Ciss），减少了栅极驱动电路的负载，提高了响应速度。由于其高可靠性和优异的性能，IXTA90N15T 被广泛应用于各种功率电子系统中。
IXTA90N15T 主要应用于需要高电流和高功率处理能力的场合。它常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电池管理系统和电机控制器等电力电子设备中。在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于电动车辆的电源管理系统、车载充电器和 DC-AC 逆变器。此外，IXTA90N15T 还适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统以及太阳能逆变器等新能源应用。
在电源管理方面，IXTA90N15T 可作为主开关元件，用于高效能的 AC-DC 和 DC-DC 转换器中。其低导通电阻和高耐压特性使其在高负载条件下依然能够保持高效运行。在电机控制应用中，该器件可用于 H 桥驱动电路，实现电机的双向控制和制动功能。此外，IXTA90N15T 的高可靠性使其成为电信设备和服务器电源系统中的理想选择。
IXTA90N15AH、IXTA90N15T2、IXTA90N15TA、IXTH90N15T
