时间：2025/8/6 10:30:02
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IXTA90N055T2是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于高功率密度和高效能电源系统中。该器件设计用于高电流应用，具备低导通电阻和优良的热性能，适用于如电源转换器、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：55V
最大漏极电流（Id）：90A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为5.5mΩ（在Vgs=10V）
最大功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IXTA90N055T2具有多个显著特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，低导通电阻降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用先进的平面技术，提供了卓越的热稳定性和可靠性。此外，IXTA90N055T2具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行，防止因过电压而损坏。其TO-263封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在PCB上，适用于表面贴装工艺。最后，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
IXTA90N055T2适用于多种高功率电子设备和系统，包括但不限于：电源供应器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电动工具、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化和控制系统。
IXTA90N055T2可以替代的型号包括STP90NF55、IRF9540N和Si9434BDY。
