时间：2025/8/10 21:13:23
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IXTA90N055T是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高性能功率转换的场合。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电器等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：55V
最大漏极电流(Id)：90A（连续）
导通电阻(Rds(on))：典型值为4.5mΩ（最大值根据具体条件可能为6.5mΩ）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
最大功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C~175°C
封装形式：TO-220AB
IXTA90N055T采用了先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻，提高了导电效率。其低Rds(on)特性减少了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，延长了器件的使用寿命。快速开关能力减少了开关损耗，提高了系统的动态响应。同时，该MOSFET具有较高的短路耐受能力，增强了在严苛环境下的可靠性。此外，TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用。
IXTA90N055T广泛应用于各种电力电子系统中，包括高效DC-DC转换器、电池充电器、电动工具、无刷直流电机控制、工业自动化设备和太阳能逆变器等。其优异的性能使其成为高功率密度和高可靠性应用的理想选择。在电源管理系统中，该器件能够提供高效的能量转换，减少能耗并提高整体系统性能。此外，该MOSFET还可用于负载开关、过流保护电路和功率因数校正（PFC）电路中。
IRF3703Z, IRLB8701, IXTK90N055T
