时间：2025/8/6 5:53:38
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IXTA80N075L2是一款由Littelfuse公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高功率应用中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和高效的开关性能。IXTA80N075L2广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
最大漏源电压（VDS）：75V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为7.5mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大工作温度：175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
IXTA80N075L2功率MOSFET具备多项优异特性，使其在高功率和高效率应用中表现出色。首先，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得导通电阻（Rds(on)）非常低，仅为7.5mΩ，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET的封装形式为D2PAK（TO-263），具备良好的热管理和高功率处理能力，适用于高电流应用。该器件的最大漏极电流可达80A，最大漏源电压为75V，适用于多种中高压功率转换系统。其栅极阈值电压范围为2V至4V，适用于常见的逻辑电平驱动电路，便于与微控制器或驱动IC配合使用。此外，IXTA80N075L2具有较低的开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异，有助于提高电源系统的整体效率。该器件还具备较高的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于苛刻的工作环境。
在可靠性方面，IXTA80N075L2通过了AEC-Q101汽车级认证，适合用于汽车电子系统，如车载充电系统、电池管理系统和电机控制模块。其封装设计支持表面贴装工艺，简化了PCB布局并提高了装配效率。同时，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和过载保护能力，能够在瞬态过载或短路条件下保持稳定运行，提高系统安全性。这些特性使得IXTA80N075L2成为一款性能优异的功率MOSFET解决方案，广泛适用于工业、汽车和消费类电子产品中的高功率管理需求。
IXTA80N075L2适用于多种高功率和高效率应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理模块、工业自动化设备以及车载电源系统等。该器件的高电流处理能力和低导通电阻使其特别适合用于需要高效能功率转换的场合。
SiHH80N07, IXTR80N07, IPB80N07S4-03, FDP80N07S
