IXFN40N110Q3 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流的开关应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高速开关性能以及良好的热稳定性,适用于工业电源、电动车辆、可再生能源系统以及各种功率转换设备。
晶体管类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):1100V
最大漏极电流(Id):40A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(最大)
栅极电荷(Qg):140nC(典型)
功率耗散(Ptot):350W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-263(表面贴装)
技术:增强型
IXFN40N110Q3 具备多项高性能特性,首先,其高达 1100V 的漏源击穿电压使其适用于高压直流和交流开关系统。其次,该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 最大为 0.18Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的栅极电荷 Qg 仅为 140nC,支持高速开关操作,从而减少开关损耗。
该 MOSFET 采用 TO-263 封装,具有良好的散热能力,适用于高功率密度设计。同时,其额定工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C,适合在恶劣环境条件下稳定运行。内置的体二极管也提供了反向电流保护,使其适用于电机控制和电源转换等应用场景。
此外,IXFN40N110Q3 的制造工艺采用了先进的沟槽式技术,确保了良好的电气特性和热稳定性。其低热阻特性进一步提升了器件在高负载下的可靠性。
IXFN40N110Q3 广泛应用于各类中高功率电子系统,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、UPS(不间断电源)、电动车辆的充电和驱动系统、太阳能逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高耐压和高电流能力,该器件特别适合用于需要频繁开关操作的系统中,如变频器和电源管理系统。
IXFN40N110P3, IXFN40N110T, IXFN42N110Q3