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IXFN40N110Q3 发布时间 时间:2025/8/6 8:02:11 查看 阅读:19

IXFN40N110Q3 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流的开关应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高速开关性能以及良好的热稳定性,适用于工业电源、电动车辆、可再生能源系统以及各种功率转换设备。

参数

晶体管类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1100V
  最大漏极电流(Id):40A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω(最大)
  栅极电荷(Qg):140nC(典型)
  功率耗散(Ptot):350W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-263(表面贴装)
  技术:增强型

特性

IXFN40N110Q3 具备多项高性能特性,首先,其高达 1100V 的漏源击穿电压使其适用于高压直流和交流开关系统。其次,该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 最大为 0.18Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的栅极电荷 Qg 仅为 140nC,支持高速开关操作,从而减少开关损耗。
  该 MOSFET 采用 TO-263 封装,具有良好的散热能力,适用于高功率密度设计。同时,其额定工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C,适合在恶劣环境条件下稳定运行。内置的体二极管也提供了反向电流保护,使其适用于电机控制和电源转换等应用场景。
  此外,IXFN40N110Q3 的制造工艺采用了先进的沟槽式技术,确保了良好的电气特性和热稳定性。其低热阻特性进一步提升了器件在高负载下的可靠性。

应用

IXFN40N110Q3 广泛应用于各类中高功率电子系统,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、UPS(不间断电源)、电动车辆的充电和驱动系统、太阳能逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高耐压和高电流能力,该器件特别适合用于需要频繁开关操作的系统中,如变频器和电源管理系统。

替代型号

IXFN40N110P3, IXFN40N110T, IXFN42N110Q3

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IXFN40N110Q3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列HiPerFET?, Q3 Class
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)260 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)6.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)300 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)14000 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)960W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 供应商器件封装SOT-227B
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC