您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTA76P10T-TRL

IXTA76P10T-TRL 发布时间 时间:2025/8/5 20:58:54 查看 阅读:17

IXTA76P10T-TRL 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)生产的 P 沟道功率 MOSFET,广泛用于需要高效能功率管理的场合。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻(RDS(on)),适用于高电流负载的应用。IXTA76P10T-TRL 采用 TO-252(D-Pak)封装,适合表面贴装工艺,便于散热和安装。

参数

类型:P 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):-100V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):-76A
  导通电阻(RDS(on)):@4.5V = 10mΩ(最大)
  功率耗散(PD):250W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

IXTA76P10T-TRL 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使其在高电压应用中表现出较低的导通电阻,从而减少功率损耗并提高效率。其 10mΩ 的 RDS(on) 值确保在高电流工作条件下,MOSFET 的温升保持在可接受范围内,从而提高系统的可靠性和稳定性。
  此外,该器件具有高雪崩能量能力,能够在负载突变或瞬态条件下提供更高的耐受性,避免器件损坏。TO-252 封装设计不仅支持表面贴装工艺,还具有良好的热性能,便于热量的快速传导和分散。
  IXTA76P10T-TRL 还具备快速开关特性,使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。其栅极驱动电压范围宽泛(通常为 4.5V 至 20V),适用于多种驱动电路配置,包括使用逻辑电平信号的驱动器。

应用

IXTA76P10T-TRL 广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高电流能力和低导通损耗的场合。例如,在开关电源(SMPS)中,该 MOSFET 可用于同步整流器或功率因数校正(PFC)电路,以提高整体转换效率。
  在 DC-DC 转换器中,IXTA76P10T-TRL 可用于降压(Buck)或升压(Boost)拓扑结构,尤其适用于高电流输出的设计,如服务器电源、通信设备电源和电池充电器等。
  此外,该器件还可用于电机控制和负载开关应用,例如直流电机驱动器、电源管理系统和工业自动化设备中的高边开关控制。

替代型号

IRF7484PbF, IXTA76P10L2-TRL, IXP76P10P07T

IXTA76P10T-TRL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTA76P10T-TRL参数

  • 现有数量4,799现货
  • 价格1 : ¥51.75000剪切带(CT)800 : ¥33.71375卷带(TR)
  • 系列TrenchP?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)76A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 毫欧 @ 38A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)197 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)13700 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)298W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263(D2Pak)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB