IXTA76P10T-TRL 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)生产的 P 沟道功率 MOSFET,广泛用于需要高效能功率管理的场合。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻(RDS(on)),适用于高电流负载的应用。IXTA76P10T-TRL 采用 TO-252(D-Pak)封装,适合表面贴装工艺,便于散热和安装。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):-100V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):-76A
导通电阻(RDS(on)):@4.5V = 10mΩ(最大)
功率耗散(PD):250W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
IXTA76P10T-TRL 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使其在高电压应用中表现出较低的导通电阻,从而减少功率损耗并提高效率。其 10mΩ 的 RDS(on) 值确保在高电流工作条件下,MOSFET 的温升保持在可接受范围内,从而提高系统的可靠性和稳定性。
此外,该器件具有高雪崩能量能力,能够在负载突变或瞬态条件下提供更高的耐受性,避免器件损坏。TO-252 封装设计不仅支持表面贴装工艺,还具有良好的热性能,便于热量的快速传导和分散。
IXTA76P10T-TRL 还具备快速开关特性,使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。其栅极驱动电压范围宽泛(通常为 4.5V 至 20V),适用于多种驱动电路配置,包括使用逻辑电平信号的驱动器。
IXTA76P10T-TRL 广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高电流能力和低导通损耗的场合。例如,在开关电源(SMPS)中,该 MOSFET 可用于同步整流器或功率因数校正(PFC)电路,以提高整体转换效率。
在 DC-DC 转换器中,IXTA76P10T-TRL 可用于降压(Buck)或升压(Boost)拓扑结构,尤其适用于高电流输出的设计,如服务器电源、通信设备电源和电池充电器等。
此外,该器件还可用于电机控制和负载开关应用,例如直流电机驱动器、电源管理系统和工业自动化设备中的高边开关控制。
IRF7484PbF, IXTA76P10L2-TRL, IXP76P10P07T