FMV13N80E 时间：2025/8/9 19:05:12 阅读：31

FMV13N80E是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效率和高性能的开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。其800V的漏源击穿电压使其适用于高电压环境，例如电源转换器、马达控制和照明系统。该MOSFET封装在TO-220或类似的功率封装中，便于散热和安装，适合广泛应用于工业电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：800V
　　连续漏极电流（ID）：13A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.45Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

FMV13N80E的主要特性包括低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率；高耐压能力（800V）确保其在高电压环境中稳定工作；最大连续漏极电流为13A，可满足较高功率需求。该器件的栅源电压范围较宽，可达±30V，提高了其在不同电路中的适应性。此外，它具备优异的热稳定性，可在-55°C至150°C的温度范围内可靠工作，适应严苛的工业环境。该MOSFET的TO-220封装设计便于安装和散热，适合多种应用场景。
　　该器件的导通电阻较低，使其在导通状态下的功率损耗更小，从而提高系统效率。高耐压能力使其适用于多种高电压开关应用，如电源供应器和DC-DC转换器。同时，其良好的热性能保证了长时间运行的稳定性，降低了热失效的风险。FMV13N80E还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统性能。

应用

FMV13N80E广泛应用于各种高电压和高功率电子设备中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动器、马达控制电路以及工业自动化设备。在开关电源中，该MOSFET用于高频开关操作，以提高转换效率并减小电源体积。在LED照明系统中，它可以作为恒流驱动器件，提供稳定的电流输出。此外，该器件还可用于逆变器和变频器等电力电子设备，以实现高效的能量转换。由于其高耐压和良好的热稳定性，FMV13N80E也常用于工业控制和自动化系统中的功率开关。