时间：2025/8/6 8:31:43
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IXTA75N10P是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和电机控制等领域。该器件设计用于高效能和高可靠性，适用于多种工业和消费电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：小于20mΩ
最大功率耗散：250W
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTA75N10P具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其高电流处理能力使其适用于高功率应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关。该器件还具有良好的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定性。
此外，IXTA75N10P采用了先进的沟槽技术，提供优异的开关性能和耐用性。其高雪崩能量耐受能力增强了器件在极端条件下的可靠性。封装设计便于安装和散热管理，适合高密度电路设计。
IXTA75N10P常用于电源管理系统、电机控制器、逆变器、DC-DC转换器以及各种工业自动化设备。在这些应用中，它能够提供高效率和稳定的性能，满足复杂电子系统的需求。由于其优异的电气和热性能，该器件也适用于高功率LED照明和电池充电器等消费电子产品。
IXFN75N10P, IXTK75N10P
