型号：UTD484L
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：100V
　　最大漏极电流(ID)：60A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：≤18mΩ @ VGS=10V, ID=30A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　输入电容(Ciss)：约3300pF @ VDS=50V
　　输出电容(Coss)：约900pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：典型值75ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252(DPAK)
　　功率耗散(PD)：约125W（Tc=25℃）

UTD484L具备出色的导通性能和开关速度，其低导通电阻RDS(on)可显著降低在大电流应用中的导通损耗，提高整体系统效率。该MOSFET采用了优化的沟槽栅结构设计，提升了载流子迁移率，从而在保持高耐压的同时实现了更低的比导通电阻。这种设计不仅增强了器件的电流处理能力，还有效减少了热积累，提高了长期运行的可靠性。
　　该器件具有良好的热稳定性，TO-252封装提供了较大的散热面积，能够有效将芯片热量传导至PCB或外部散热器，适用于持续高负载工作的环境。同时，UTD484L具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下维持正常工作而不发生永久性损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　在开关特性方面，UTD484L拥有较低的输入和输出电容，有助于减少驱动电路的功率消耗，并加快开关响应速度，特别适合高频开关电源应用。其栅极电荷Qg较小，意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化驱动设计并提升能效。
　　此外，UTD484L对静电放电（ESD）具有一定的防护能力，但仍建议在使用过程中采取适当的防静电措施以确保器件安全。器件还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，能够在快速变化的电压和电流条件下稳定工作，避免误触发或振荡现象的发生。
　　总体而言，UTD484L以其高性能、高可靠性和合理的成本，成为许多中高端功率电子设计中的优选器件，尤其适合对效率和空间有较高要求的应用场合。

UTD484L广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC转换器和POL（点负载）电源模块，其中其低导通电阻和高开关速度有助于提升转换效率并减小散热需求；电机驱动系统，例如小型直流电机、步进电机和BLDC无刷电机控制器，UTD484L可用于H桥或半桥拓扑中作为主开关元件，提供高效的能量传输和精确的控制响应。
　　在电池供电设备中，如电动工具、便携式仪器和储能系统，UTD484L常用于电池保护电路和充放电控制回路，凭借其低静态功耗和高电流承载能力，保障电池系统的安全性与续航表现。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电源、逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆系统等新能源相关产品中，作为核心开关元件参与能量转换过程。其工业级工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行，满足工业自动化、通信电源和车载电子等多种严苛应用场景的需求。
　　由于其封装兼容性强，UTD484L还可用于替代其他厂商的TO-252封装MOSFET，便于现有设计升级或供应链替换，尤其在追求国产化替代和技术自主可控的趋势下，具有较高的实用价值。

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　　 "FQP484L",
　　 "STP484L",
　　 "IRF484L"
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