时间：2025/8/5 18:56:27
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IXTA75N10P-TRL是一款由Littelfuse公司生产的功率MOSFET，属于增强型场效应晶体管。这款MOSFET具有高电流、低导通电阻和高可靠性等特性，适用于多种功率电子应用。其封装形式为D2PAK，适用于表面贴装技术，便于在各种电子设备中集成。IXTA75N10P-TRL的命名中，"IXTA"表示产品系列，"75"表示最大漏极电流为75A，"N"表示N沟道，"10"表示漏源击穿电压为100V，"P"表示封装类型为D2PAK，"TRL"则表示卷带包装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为8.5mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK
IXTA75N10P-TRL具有多个显著的特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低导通损耗，提高系统效率。在典型工作条件下，RDS(on)的值仅为8.5mΩ，这对于高电流应用来说是非常有利的。其次，该MOSFET的最大漏极电流为75A，能够承受较大的负载，适用于高功率密度的设计。此外，IXTA75N10P-TRL的漏源击穿电压为100V，能够应对较高的电压应力，确保在严苛环境下的稳定运行。
该器件采用了先进的制造工艺，具备良好的热稳定性与可靠性，能够在高温环境下长时间工作。其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于各种极端环境条件。此外，IXTA75N10P-TRL的栅源电压范围为±20V，具有较高的栅极驱动兼容性，可与多种控制电路配合使用。
在封装方面，IXTA75N10P-TRL采用D2PAK封装，这是一种表面贴装封装形式，具有良好的散热性能。这种封装方式不仅提高了器件的热管理能力，还简化了PCB设计，便于自动化生产。此外，D2PAK封装的机械强度较高，能够在运输和使用过程中提供良好的保护。
IXTA75N10P-TRL广泛应用于多个领域，特别是在需要高电流和高电压处理能力的场合。例如，在电源管理系统中，该MOSFET可以用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，提供高效的功率控制。在电机驱动应用中，IXTA75N10P-TRL能够驱动较大的负载，适用于电动工具、工业自动化设备和电动汽车中的电机控制模块。此外，该器件还可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统，确保在电源中断时能够迅速切换，保障设备的持续运行。
IXTA75N10P-TRL的替代型号包括IXTA75N10P、IXTA75N10P-TR、IXTA75N10P-T、IXTA75N10P-TRL、IXTA75N10P-TRR等。
