IXTA5N50P 时间：2025/8/6 9:59:31 阅读：11

IXTA5N50P是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高功率电子系统中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。IXTA5N50P采用TO-220封装，便于安装和散热，适合多种工业和消费类应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：5A（在25°C）
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

IXTA5N50P具备多项优异特性，使其在功率MOSFET中具有较强竞争力。首先，其漏源电压高达500V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压输入的应用场景。其次，该器件的连续漏极电流为5A，在适当的散热条件下可满足中高功率需求。此外，IXTA5N50P的导通电阻最大为1.2Ω，这在同类产品中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅源电压范围为±20V，具有良好的栅极驱动兼容性，可以与多种控制IC或驱动器配合使用。IXTA5N50P还具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体能效。其TO-220封装设计不仅便于安装，而且具有良好的散热性能，确保在高功率应用中稳定运行。最后，该MOSFET具有较宽的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于各种恶劣环境条件。

应用

IXTA5N50P广泛应用于多个高功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS），如AC-DC适配器和电源模块，用于提高转换效率并减少发热。此外，该器件也常用于DC-DC转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）电路，适用于电池管理系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等应用。IXTA5N50P还可用于电机控制和驱动电路，适用于工业自动化设备、家用电器和电动工具等场合。在功率因数校正（PFC）电路中，该MOSFET也发挥着重要作用，有助于提高系统的电能利用效率。