时间：2025/8/6 9:26:03
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IXTA50N28TTRL是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET，具有高电流和低导通电阻的特性，适用于高功率和高频应用。该器件采用TO-263封装，是一种表面贴装器件，适合现代电源管理和功率转换电路的设计。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：280V
最大漏极电流(Id)：50A（在TC=25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大60mΩ（在Vgs=10V）
栅极电压(Vgs)：最大±20V
最大功耗(Pd)：180W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-263
IXTA50N28TTRL的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率，使其在高电流应用中表现出色。该器件具有较高的热稳定性，能够在高温度环境下可靠工作。此外，它还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。其TO-263封装形式提供了良好的散热性能，并且适合自动化装配工艺。
该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发负载条件下提供更高的可靠性。栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平控制，便于与各种控制电路集成。
IXTA50N28TTRL广泛应用于电源管理领域，如AC-DC电源、DC-DC转换器和同步整流器。它也常用于电机驱动和逆变器设计中，适用于工业自动化、汽车电子和可再生能源系统等高功率应用场景。此外，该器件还可用于高功率LED照明驱动电路和电池充电系统。
IXTA50N28TTRL的替代型号包括IXTA50N25TTRL（250V版本）和IXTA50N30TTRL（300V版本）。其他替代方案可以考虑STMicroelectronics的STP50N280Z或Infineon Technologies的IPW50N28AP。
