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IXTA3N150HV 发布时间 时间:2025/12/27 3:13:17 查看 阅读:16

IXTA3N150HV是一款由Littelfuse公司生产的高电压、大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高压开关应用设计,适用于需要高耐压和高可靠性的工业与电力电子系统。该器件采用先进的平面栅场截止技术,具备优异的开关性能和导通特性,能够在1500V的集射极额定电压下稳定工作,适合在高电压母线环境中运行。IXTA3N150HV广泛应用于感应加热、逆变器电源、弧焊设备、高频DC-DC转换器以及各种工业电机驱动系统中。该IGBT封装于TO-247形式,具备良好的热传导性能和机械稳定性,便于安装散热器以实现高效散热。其内部结构优化了电场分布,提升了器件的雪崩耐受能力和短路承受时间,增强了系统在异常工况下的鲁棒性。此外,该器件还具有较低的拖尾电流和开关损耗,有助于提高整体系统效率并降低温升。由于其高电压等级和适中的电流能力,IXTA3N150HV特别适合用于串联或半桥拓扑结构中的主开关元件。

参数

型号:IXTA3N150HV
  制造商:Littelfuse
  器件类型:IGBT
  封装类型:TO-247
  集射极击穿电压(BVDSS):1500 V
  最大集电极电流(IC):3 A
  最大结温(Tj):150 °C
  栅极阈值电压(VGE(th)):4.0 ~ 6.0 V
  导通电阻(RDS(on)):-
  饱和压降(VCE(sat) @ IC=2A, VGE=15V):2.0 V(典型值)
  输入电容(Ciss):95 pF(典型值)
  输出电容(Coss):28 pF(典型值)
  反向恢复时间(trr):-
  开关时间(ton/toff):45 ns / 55 ns(典型值)
  功耗(PD):60 W(最大值)
  栅极驱动电压范围:±20 V

特性

IXTA3N150HV采用了先进的平面栅与场截止(Field-Stop)IGBT工艺,这种结构有效降低了器件的通态压降与开关损耗之间的折衷矛盾,使其在高电压应用中表现出色。其1500V的高击穿电压使得该器件可在高压直流母线系统中安全运行,尤其适用于工作电压接近1000V以上的场合,如太阳能逆变器、工业感应加热电源等。器件的饱和压降在额定工作条件下仅为2.0V左右,显著减少了导通期间的能量损耗,从而提高了系统的整体能效。
  该IGBT具备优良的开关动态特性,其开通时间和关断时间分别约为45ns和55ns,在高频开关应用中能够实现快速响应,减少死区时间并提升功率密度。同时,较低的输入和输出电容(Ciss和Coss)意味着对驱动电路的要求更低,减少了驱动功率需求,并有助于抑制寄生振荡。此外,该器件具有较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定,避免因电压尖峰导致的永久性损坏。
  热稳定性方面,IXTA3N150HV的最大结温可达150°C,并采用TO-247封装,具有良好的热传导路径,便于通过外部散热器将热量迅速导出。这使得器件在持续高负载运行时仍能维持可靠性能。其栅极阈值电压范围合理(4.0~6.0V),兼容标准15V驱动信号,且具备一定的噪声免疫能力,防止误触发。整体设计兼顾了可靠性、效率与易用性,是高压中小功率IGBT应用中的理想选择。

应用

IXTA3N150HV因其高耐压、中等电流能力和优良的开关特性,被广泛应用于多种高压电力电子系统中。常见用途包括感应加热设备中的谐振逆变器,作为主开关元件参与LC谐振回路的高频切换,实现高效的能量传输与温度控制。在弧焊电源中,该器件可用于全桥或半桥拓扑结构,承担直流到交流的逆变任务,提供稳定的焊接电流输出。
  此外,该IGBT也适用于高压DC-DC转换器,特别是在需要将数百伏甚至上千伏直流电压进行斩波调节的场景中,例如新能源发电系统中的预升压或级联变换环节。在太阳能逆变器和风力发电变流器中,IXTA3N150HV可作为辅助开关或保护开关使用,用于投切滤波电路或旁路支路。
  工业电机驱动领域中,虽然其3A额定电流限制了其在大功率主驱中的应用,但在小型伺服系统或制动单元中仍具实用价值。同时,该器件还可用于高频电源、X光发生器、静电除尘器等特种电源设备中,承担高压开关功能。由于其具备较高的可靠性和环境适应性,也常用于恶劣工业环境下的电源模块设计。

替代型号

IXGH3N150HV
  IXTH3N150HV
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IXTA3N150HV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥88.72000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.3 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)38.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1375 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263AA
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB