您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTA3N120TRL

IXTA3N120TRL 发布时间 时间:2025/12/29 14:58:34 查看 阅读:11

IXTA3N120TRL 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高功率开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性,适用于电源管理、电机控制、逆变器、UPS 系统和工业自动化等领域。IXTA3N120TRL 采用 TO-220 封装形式,便于散热和安装。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):1200V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):3A(在25°C)
  导通电阻(RDS(on)):最大 3.5Ω
  功耗(PD):83W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220
  栅极电荷(Qg):约 20nC
  漏源击穿电压(BVDSS):1200V

特性

IXTA3N120TRL 具备一系列高性能特性,适用于高电压和中等功率的应用场景。其主要特性包括:
  首先,该器件具有高达 1200V 的漏源击穿电压(BVDSS),使其能够承受较高的电压应力,适用于高压开关电源、DC-DC 转换器以及逆变器系统。
  其次,IXTA3N120TRL 的导通电阻 RDS(on) 最大为 3.5Ω,在同类器件中表现良好,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  此外,该 MOSFET 提供较高的栅极稳定性,栅源电压容限为 ±20V,确保在各种驱动条件下安全运行。
  TO-220 封装具有良好的散热性能,能够有效散发工作过程中产生的热量,确保器件在高负载下仍能稳定运行。
  该器件的栅极电荷较低,有助于减少开关损耗,提升开关速度,适用于高频应用。
  IXTA3N120TRL 还具备良好的热稳定性和短路耐受能力,适合在恶劣工业环境中使用。

应用

IXTA3N120TRL 适用于多种高电压和中等功率的应用场景。典型应用包括:
  1. 高压开关电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换电路中,作为主开关器件,提高能效和可靠性。
  2. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和电机驱动系统中,实现高效的能量转换。
  3. 电机控制:用于工业自动化设备中的电机驱动电路,实现精确的速度和功率控制。
  4. 电池管理系统:用于高压电池充放电控制电路中,确保电池组的安全运行。
  5. 工业电源和测试设备:用于各种工业控制和测试仪器中,提供高可靠性的功率开关解决方案。

替代型号

IXTP3N120T、IXTA4N120TRL、IRGPC40K、STW12NK120Z

IXTA3N120TRL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTA3N120TRL资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXTA3N120TRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IXTA3N120TR