时间：2025/8/6 4:24:27
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IXTA3N120-TRL 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高电压和高电流应用而设计，适用于多种功率转换设备。IXTA3N120-TRL 采用了先进的沟道技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理、负载开关等高功率场景。该器件采用 TO-252（D-Pak）封装，具有良好的热管理和可靠性。
类型：MOSFET（N沟道）
漏源电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）：3A
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：15nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（D-Pak）
IXTA3N120-TRL 具备多项优秀的电气和物理特性，使其适用于高电压和中等电流的功率转换应用。
首先，该器件的漏源电压（Vds）为1200V，适用于高压电源系统，如工业电源、太阳能逆变器和LED照明系统。其1200V的耐压能力确保了在高输入电压条件下依然能够稳定运行。
其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为3A，虽然在高电压下电流能力有限，但其设计适用于中等功率应用，如DC-DC转换器、AC-DC整流器以及小型电机控制电路。
导通电阻（Rds(on)）是MOSFET性能的重要参数，IXTA3N120-TRL 的最大Rds(on)为2.5Ω，该值在同级别器件中处于合理范围，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为15nC，表明其开关速度较快，适用于高频开关电源和同步整流电路。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的热稳定性，适用于工业级环境。TO-252（D-Pak）封装不仅提供了良好的散热性能，而且支持表面贴装（SMD）工艺，便于自动化生产和散热管理。
最后，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供一定的保护功能，从而提高系统的可靠性。
IXTA3N120-TRL 适用于多种高电压、中等电流的功率电子系统。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、工业自动化控制、LED照明驱动器以及电池管理系统（BMS）。此外，由于其具备较高的耐压能力，该器件也常用于光伏逆变器、电能质量调节设备和小型UPS系统中。TO-252封装形式使其适合用于空间受限但需要良好热管理的PCB设计。
IXTA3N120AF-TRL, IRFPL53N120FD-SP, FQA3N120C, STP3NK120Z
