时间：2025/8/6 4:47:05
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IXTA340N04T4 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流、高频率的开关应用，例如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统。该器件采用 TO-220 封装，具备低导通电阻、高耐压能力和高效率的特性，适用于工业电源和功率控制设备。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：340A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 2.7mΩ（典型值 2.2mΩ）
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
安装类型：通孔
IXTA340N04T4 的核心特性是其极低的导通电阻（RDS(on)），通常在 2.2mΩ 左右，有助于降低导通损耗并提高整体效率。该 MOSFET 具备高电流承载能力，额定漏极电流高达 340A，适合用于高功率应用场景。其 40V 的漏源电压额定值允许其在中等电压系统中稳定运行。此外，该器件具备快速开关能力，适用于高频开关电路，从而减少开关损耗并提高系统效率。TO-220 封装设计提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件还具有高可靠性、良好的热稳定性和抗过载能力，适合在严苛的工业环境中使用。
此外，IXTA340N04T4 还具备低门极电荷（Qg）特性，这有助于减少开关过程中的能量损耗，并提升开关速度。其门极驱动电压范围宽广，通常在 10V 至 20V 之间，能够兼容多种驱动电路设计。该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。综合这些特性，IXTA340N04T4 是一款非常适合用于高功率密度设计的高性能功率 MOSFET。
IXTA340N04T4 主要用于需要高电流和高效率的功率电子系统。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统、不间断电源（UPS）、逆变器以及各种工业自动化和电源管理系统。其优异的导通性能和热管理能力使其成为高性能电源设计的理想选择。在电动车、储能系统和太阳能逆变器等新能源应用中，该器件也常用于功率开关和电流控制电路。
IXFN340N04T4, IXTY340N04T4
