时间：2025/5/21 19:10:58
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DMP6185SE 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SuperSOT-6 封装。该器件适用于各种开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池保护等。其低导通电阻特性使其在高效能设计中表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极电荷：10nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SuperSOT-6
DMP6185SE 的主要特性包括超低导通电阻以减少功率损耗，高开关速度以支持高频应用，以及坚固的 ESD 保护机制。它还具备优异的热稳定性，确保在高温环境下长期可靠运行。
此外，该器件的小型封装适合空间受限的设计，同时保持了良好的电气性能和散热能力。
DMP6185SE 广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。典型应用包括便携式设备中的负载开关，USB 充电器中的同步整流，LED 驱动电路中的开关元件，以及电池管理系统中的保护开关。由于其高效的开关特性和紧凑的封装形式，非常适合需要小型化和高性能的应用场景。
DMN2027UFH, Si2304DS
