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IXTA32N20T 发布时间 时间:2023/3/6 14:03:22 查看 阅读:307

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:72 毫欧 @ 16A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):200V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:32A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 250?A

    闸电荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1760pF @ 25V

    功率 - 最大:200W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:D2Pak,TO-263(2 引线 + 接片)

    包装:管件

    供应商设备封装:*



资料

厂商
IXYS

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IXTA32N20T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C72 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1760pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263AA
  • 包装管件