时间：2025/8/5 12:47:46
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IXTA220N04T2-TRL是一款由IXYS公司生产的高性能N沟道MOSFET，设计用于高效能的电源管理应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流能力和优良的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds): 40V
最大漏极电流(Id): 220A
导通电阻(Rds(on)): 1.6mΩ
栅极电压(Vgs): ±20V
工作温度范围: -55°C至175°C
封装类型: TO-220
IXTA220N04T2-TRL的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高效率；高电流能力使其适用于高功率应用；优异的热性能确保了在高温环境下也能稳定工作；此外，该器件还具有良好的动态性能，适用于高频开关应用。
此外，该MOSFET还具备高耐用性和可靠性，适合在严苛的工作条件下使用，如工业电源、电机控制和汽车电子系统。其快速开关特性也有助于提高系统的整体效率和响应速度。
IXTA220N04T2-TRL广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于工业电源、直流电机驱动器、电池管理系统、太阳能逆变器以及各种需要高效电源管理的场合。其出色的性能也使其成为电动汽车和储能系统中的理想选择。
IXTA220N04T2-TRL的替代型号包括IXTA220N04T和IXTA220N04T2。
