时间：2025/8/5 18:19:37
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IXTA1N120P-TRL是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、高频率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式技术，提供优异的导通电阻（Rds(on)）和快速开关性能，适用于各种电源转换系统，如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和逆变器等。IXTA1N120P-TRL采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：1.2A（在25°C环境温度下）
导通电阻(Rds(on))：最大值2.5Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散(Pd)：1.6W（在25°C环境温度下）
IXTA1N120P-TRL具有多项优异的电气和物理特性，确保其在高电压和高频应用中的可靠性。
首先，该MOSFET的漏源电压（Vds）高达120V，使其适用于中高电压电源系统。其导通电阻Rds(on)最大为2.5Ω，在Vgs=10V时表现良好，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
其次，该器件支持快速开关操作，具有较低的输入电容（Ciss）和反向恢复时间（trr），有助于降低开关损耗并提高响应速度。此外，其TO-252封装形式提供了良好的散热性能，确保在较高工作电流下仍能保持稳定运行。
IXTA1N120P-TRL还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较高温度环境下可靠工作。栅极驱动电压范围为±20V，确保了与标准驱动电路的兼容性，并具有一定的过压保护能力。
由于其小尺寸和表面贴装封装，IXTA1N120P-TRL易于集成到紧凑型电源设计中，适用于需要高效、高可靠性的应用场合。
IXTA1N120P-TRL广泛应用于多种电源管理和控制电路中。典型应用包括DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源负载开关、逆变器和电源适配器等。由于其高电压能力和快速开关特性，该器件也适合用于工业控制和汽车电子系统中的高电压开关控制。此外，它还可用于LED照明驱动、智能电表和便携式设备中的高效电源管理模块。
IXTA1N120P-TRL的替代型号包括IXTA1N120P、IXTH1N120P、FQP1N120C和STP1N120NF。
