ACPM-9020-TR1 时间：2025/9/16 7:32:21 阅读：15

ACPM-9020-TR1 是一款由 Advanced Monolithic Devices（AMD）公司生产的 GaAs（砷化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）场效应晶体管（FET），适用于高频和射频应用。该器件采用表面贴装封装技术，工作频率范围广泛，适用于无线通信、雷达系统、测试设备以及其他需要高性能射频放大的场合。ACPM-9020-TR1 设计用于高增益和低噪声性能，是射频前端模块和低噪声放大器（LNA）中的理想选择。

参数

工作频率范围：2 GHz 至 18 GHz
　　漏极电流（ID）：20 mA 至 50 mA（典型值 40 mA）
　　漏源电压（VDS）：最大 10V
　　输入输出阻抗：50Ω
　　增益（S21）：15 dB 至 20 dB（在典型工作频率下）
　　噪声系数（NF）：0.6 dB 至 1.2 dB
　　封装类型：表面贴装，6引脚 SOT-363（SC-70）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

ACPM-9020-TR1 是一款 GaAs HEMT FET，具备优异的高频性能和低噪声特性，适用于广泛的射频和微波应用。该器件在2 GHz至18 GHz的频率范围内表现出稳定的增益和低噪声系数，使其成为低噪声放大器（LNA）设计中的理想选择。ACPM-9020-TR1采用6引脚 SOT-363 封装，便于在高密度 PCB 设计中使用，并支持表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。
　　其 GaAs HEMT 结构提供了高电子迁移率，确保在高频下仍具有良好的放大性能。此外，该器件具有良好的线性度和稳定性，适合用于需要高灵敏度和低失真的应用场景，如无线基站、卫星通信、军事雷达和测试测量设备。
　　ACPM-9020-TR1 的漏极电流可在20 mA至50 mA之间调节，允许设计人员根据应用需求优化功耗和性能。其50Ω输入输出阻抗匹配简化了外围电路设计，减少了外部匹配元件的数量，降低了整体系统成本。