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IXTA15N50L2 发布时间 时间:2025/8/6 4:13:49 查看 阅读:14

IXTA15N50L2是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET,专为高效能电源转换系统设计。这款MOSFET采用了先进的高压工艺技术,具备优异的导通和开关性能,适用于多种高电压应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):0.36Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220AB
  功率耗散(Pd):125W

特性

IXTA15N50L2具有低导通电阻和高耐压能力,能够显著降低功率损耗并提升系统效率。其先进的制造工艺确保了稳定的性能和较长的使用寿命。
  此外,该器件的热阻较低,有助于提高散热效率,从而在高温环境下也能保持稳定的运行。其高可靠性设计使其在恶劣的工作条件下依然能够正常工作。
  该MOSFET还具备快速开关特性,减少了开关损耗,适合高频开关应用。同时,其简单的驱动要求和良好的线性工作区域使其适用于多种功率转换和控制电路。

应用

IXTA15N50L2广泛应用于电源管理系统、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及各种高电压和高功率电子设备中。
  它也常用于工业自动化设备、电动车辆的电力系统以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)中,以实现高效的能量转换和管理。
  此外,该器件还适用于LED照明驱动电路、电池充电器和家用电器中的电源控制模块。

替代型号

STP15NK50Z, IRFP460, FDPF4N50

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IXTA15N50L2参数

  • 现有数量238现货
  • 价格1 : ¥111.70000管件
  • 系列Linear L2?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)480 毫欧 @ 7.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)123 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4080 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263AA
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB