IXTA15N50L2是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET,专为高效能电源转换系统设计。这款MOSFET采用了先进的高压工艺技术,具备优异的导通和开关性能,适用于多种高电压应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):0.36Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220AB
功率耗散(Pd):125W
IXTA15N50L2具有低导通电阻和高耐压能力,能够显著降低功率损耗并提升系统效率。其先进的制造工艺确保了稳定的性能和较长的使用寿命。
此外,该器件的热阻较低,有助于提高散热效率,从而在高温环境下也能保持稳定的运行。其高可靠性设计使其在恶劣的工作条件下依然能够正常工作。
该MOSFET还具备快速开关特性,减少了开关损耗,适合高频开关应用。同时,其简单的驱动要求和良好的线性工作区域使其适用于多种功率转换和控制电路。
IXTA15N50L2广泛应用于电源管理系统、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及各种高电压和高功率电子设备中。
它也常用于工业自动化设备、电动车辆的电力系统以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)中,以实现高效的能量转换和管理。
此外,该器件还适用于LED照明驱动电路、电池充电器和家用电器中的电源控制模块。
STP15NK50Z, IRFP460, FDPF4N50