时间：2025/8/5 18:15:17
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IXTA140P05T-TRL 是一款由 IXYS（现为 Littelfuse 的一部分）制造的 P 沟道功率 MOSFET，专为高电流、低电压应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，非常适合用于负载开关、电源管理和 DC-DC 转换器等应用。该 MOSFET 采用 TO-252（D-Pak）封装，便于安装和散热。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-50V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-140A
导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V: 5.3mΩ（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-252（D-Pak）
IXTA140P05T-TRL 的主要特性之一是其极低的导通电阻，典型值在 5.3mΩ 左右，这有助于减少导通损耗，提高效率。该器件能够在 10V 栅极驱动电压下提供高达 140A 的连续漏极电流，展现出卓越的电流处理能力。此外，该 MOSFET 具有高雪崩能量耐受能力，使其在高应力开关条件下依然保持稳定。
该器件采用 IXYS 的沟槽技术，提供更好的热稳定性和更高的可靠性。其快速开关特性使其适用于高频开关应用，如同步整流器和 DC-DC 转换器。TO-252 封装设计不仅节省空间，还具备良好的热管理性能，适合表面贴装应用。此外，该 MOSFET 还具有出色的抗短路能力，确保在异常工作条件下仍能保持器件完整性。
IXTA140P05T-TRL 还具备低输入电容（Ciss）和低栅极电荷（Qg），这有助于减少驱动损耗并提高开关速度。其栅极驱动电压范围较宽（通常在 4.5V 至 20V 之间），兼容多种驱动电路，包括低电压逻辑控制器。此外，该器件在高温下仍能保持良好的性能，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
IXTA140P05T-TRL 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换电路中。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件常用于 DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和逆变器等场合。在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中，IXTA140P05T-TRL 可作为主功率开关或同步整流器，有效提升系统效率。
此外，该 MOSFET 在汽车电子系统中也有广泛应用，例如车载充电器（OBC）、电池保护电路和车身控制模块。其高可靠性和良好的热管理性能使其在恶劣环境下也能稳定工作。IXTA140P05T-TRL 还可用于电源管理 IC（PMIC）外围电路，作为功率级开关元件，实现高效的电源分配和管理。
在消费类电子产品中，该器件可用于大功率移动电源、笔记本电脑电源适配器和智能功率插座等应用。其快速开关特性和低功耗特性使其成为节能型电源解决方案的理想选择。
IXTA140P05T2-TRL, IXTA140P05NM5T-TRL, IPU140P05T-TRL
