时间：2025/8/5 12:39:41
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IXTA10P50P-TRL是一款由Littelfuse公司生产的P沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于需要高效能和可靠性的应用场景。
类型：P沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-50V
栅源电压（VGS）：-20V
连续漏极电流（ID）：-10A
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（典型值）
功耗（PD）：60W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
IXTA10P50P-TRL具备一系列高性能特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其高耐压能力（漏源电压可达-50V）使其适用于多种中高功率应用场景。同时，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为45mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
此外，该器件支持连续漏极电流为-10A，能够满足较高电流需求的电路设计要求。其封装形式为TO-252（DPAK），这种表面贴装封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
该MOSFET的栅源电压为-20V，提供了较宽的驱动范围，使得设计者可以使用标准的逻辑电平驱动电路。此外，其最大功耗为60W，表明该器件能够在较高的功率条件下稳定运行。
IXTA10P50P-TRL的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种恶劣环境，具有较高的热稳定性和可靠性，适用于工业级和汽车电子等对温度要求严苛的应用场景。
IXTA10P50P-TRL适用于多种电子系统和电源管理应用。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高效能的电源转换，提升整体系统效率。在负载开关或电机控制中，其高电流承载能力和低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提升系统响应速度。
此外，该器件还可用于电源管理系统中的高侧或低侧开关，尤其适合需要高可靠性和稳定性的工业控制设备。在汽车电子应用中，如车载充电系统或电动工具中，IXTA10P50P-TRL凭借其宽工作温度范围和良好的热管理能力，能够提供稳定可靠的性能。
Si4435BDY-T1-GE3, IRF9Z24NPBF, FDS6680, IXTA14P50P-TRL
