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IXTA102N15T 发布时间 时间:2025/7/16 18:47:43 查看 阅读:6

IXTA102N15T 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电源转换和控制应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力,适合在高温环境下运行。

参数

类型:MOSFET
  通道类型:N 沟道
  最大漏源电压(Vds):150 V
  最大栅源电压(Vgs):±20 V
  最大连续漏极电流(Id):84 A(@25°C)
  导通电阻(Rds(on)):≤ 2.6 mΩ(@Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263(D2Pak)
  安装类型:表面贴装

特性

IXTA102N15T 具备优异的电性能和热稳定性,适用于高效率 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业电源等应用场合。
  其低导通电阻减少了导通损耗,提高了整体能效;同时具备较高的短路耐受能力,增强了系统的可靠性。
  该 MOSFET 还采用了先进的平面技术与沟槽工艺结合的设计,使其在高频开关应用中表现优异,有助于实现更高的功率密度和更小的系统体积。
  此外,该器件具有良好的热管理性能,能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行,满足工业级和汽车电子对可靠性的高要求。

应用

IXTA102N15T 主要应用于以下领域:
  ? 高功率 DC-DC 转换器
  ? 电动工具和电动车电机控制器
  ? 电池管理系统(BMS)
  ? 工业电源及逆变器
  ? 服务器电源和电信设备
  ? 不间断电源(UPS)系统
  ? 太阳能逆变器和储能系统

替代型号

IXTA102N15T 的替代型号包括 IXTA100N15T 和 IXTA120N15T,这些型号在电气特性和封装上相似,可根据具体设计需求选择使用。

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IXTA102N15T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C102A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs87nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5220pF @ 25V
  • 功率 - 最大455W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装管件