时间：2025/8/5 17:56:59
阅读：31
IXTA05N100-TRL是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电压和高电流应用，具有优良的导通性能和快速开关特性。该MOSFET采用TO-220封装，适用于多种工业和电源管理系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：1000V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：5A
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（最大）
封装类型：TO-220
IXTA05N100-TRL具备多个关键特性，使其适用于高电压和高效率应用。首先，该器件的漏源电压（VDS）为1000V，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和工业控制设备。其次，连续漏极电流（ID）为5A，可以满足中等功率开关应用的需求。
该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）最大为2.2Ω，虽然相对较高，但在某些高压应用中仍能提供合理的导通损耗。栅源电压（VGS）为±30V，提供了较宽的驱动电压范围，增强了器件的稳定性。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。
IXTA05N100-TRL采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于多种PCB布局。该封装形式也便于手工焊接和安装，适合中小规模生产和维修应用。
IXTA05N100-TRL广泛应用于高压电源、工业控制系统、电机驱动器、LED照明系统以及各种开关电源设计。该MOSFET的高电压耐受能力使其成为高压直流-直流转换器和逆变器的理想选择。此外，它还可用于功率因数校正（PFC）电路和不间断电源（UPS）系统，以提供可靠的开关控制。
在工业自动化和控制系统中，IXTA05N100-TRL可用于控制电机、继电器和电磁阀等负载。其良好的温度特性和高电压耐受能力使其能够在高温和高压环境下稳定运行。在LED照明系统中，该MOSFET可用于驱动高功率LED模块，提供高效的开关控制和良好的热管理性能。
STW12NK10Z, FQA5N100, IRF830
