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IXT-1-1N100S1 发布时间 时间:2025/4/28 18:00:43 查看 阅读:2

IXT-1-1N100S1 是一款由 IXYS 公司生产的高压整流二极管,采用 TO-220 封装形式。该器件适用于高电压、大电流的应用场合,如开关电源、逆变器和电机驱动等工业领域。其设计以高效率、低反向漏电流和良好的热稳定性为核心特点。
  该型号属于 1N 系列二极管,具有较高的浪涌电流能力以及快速恢复特性,能够适应恶劣的工作环境。

参数

最大正向电压:1.1V
  最大反向电压:1000V
  最大平均整流电流:1A
  峰值重复反向电压:1100V
  最大功耗:60W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  存储温度范围:-65℃ 至 +175℃

特性

IXT-1-1N100S1 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,适合高压应用环境。
  2. 正向电流高达 1A,支持高功率传输。
  3. 良好的热性能,确保在高温条件下可靠运行。
  4. 低反向漏电流,在高压环境下表现稳定。
  5. TO-220 封装提供优秀的散热性能和机械强度。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际规范要求。

应用

该二极管广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和保护电路。
  2. 电机驱动系统中的续流二极管。
  3. 逆变器中的高压整流元件。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
  5. 各种工业控制和电力电子系统中的关键部件。
  6. 电池充电器及高频变换器的整流应用。

替代型号

1N100S1, MUR1100G, BYM110-1300S

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IXT-1-1N100S1参数

  • 标准包装94
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装管件