时间：2025/8/6 0:48:40
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IXGK82N120B3是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管，设计用于高频率和高功率应用。该器件采用TO-247封装，具备优良的热性能和高电流承载能力，适用于各种工业和电力电子系统。
类型：MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：82A
导通电阻(Rds(on))：约0.022Ω
最大功率耗散：约300W
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电压(Vgs)：±20V
IXGK82N120B3具有低导通电阻，这减少了导通损耗并提高了效率。其高击穿电压使其适用于高电压系统。该器件的热阻低，有助于在高功率操作下保持较低的结温，从而提高可靠性和寿命。此外，它具有快速开关特性，适用于高频开关应用。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，增强了其在苛刻环境中的稳健性。
在结构上，该器件采用先进的沟槽栅极技术，优化了电场分布并减少了开关损耗。其封装设计提供了良好的机械稳定性和热管理能力，适合在恶劣环境中使用。此外，该MOSFET具有较高的dv/dt耐受能力，有助于防止因电压瞬变引起的误触发。
IXGK82N120B3广泛用于各种高功率和高频应用，包括电源转换器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其优异的电气和热性能，它也适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。
IXGH82N120B3, IXFK82N120B3
