CPH6601-TL 时间：2025/9/20 21:06:27 阅读：6

CPH6601-TL是一款由Central Semiconductor Corp生产的双通道N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用微型表面贴装封装，适用于高密度和空间受限的电子设计应用。该器件通常用于电源管理、开关电路、负载驱动以及DC-DC转换器等场景中。CPH6601-TL具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性，适合在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费类电子设备中使用。其封装形式为SOT-563（也称SC-88A），是一种6引脚的小型化封装，有助于节省PCB空间并提高集成度。该MOSFET支持逻辑电平驱动，能够直接由微控制器或其他低压控制信号驱动，无需额外的驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，CPH6601-TL符合RoHS环保要求，无铅且绿色环保，适用于现代工业标准下的自动化贴片生产流程。

参数

型号：CPH6601-TL
　　极性：N沟道
　　配置：双通道
　　最大漏源电压(VDS)：20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　最大连续漏极电流(ID)：1.9A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：4.2A
　　最大导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=4.5V, ID=1.9A
　　最大导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=2.5V, ID=1.9A
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：330pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　开启延迟时间(td_on)：6ns
　　关断延迟时间(td_off)：17ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-563 (SC-88A)
　　安装方式：表面贴装(SMD)

特性

CPH6601-TL具备优异的电气性能和热稳定性，能够在宽温度范围内保持可靠的开关操作。其低导通电阻特性显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效表现，尤其适合电池供电设备中的节能设计需求。该器件的阈值电压较低，典型值在0.6V至1.0V之间，使其能够在低电压控制信号下实现快速开启，兼容3.3V或更低逻辑电平的数字控制系统，例如ARM处理器、FPGA或MCU输出端口。由于其双N沟道结构，两个独立的MOSFET可以分别用于同步整流、双向开关或并联以增加电流承载能力。
　　该器件的封装尺寸极小，仅为2.0mm x 1.6mm x 0.9mm左右，非常适合对空间高度敏感的应用场合，如可穿戴设备、TWS耳机、智能手表等紧凑型产品。SOT-563封装还优化了引脚布局，减少了寄生电感与电阻，有助于提升高频开关性能和抗噪声干扰能力。CPH6601-TL在设计上考虑了热耗散问题，通过PCB焊盘进行有效散热，可在额定电流下长时间稳定运行。
　　此外，该MOSFET具有良好的抗静电能力（ESD保护）和栅极氧化层可靠性，增强了器件在实际生产与使用过程中的鲁棒性。其快速的开关响应时间（开启延迟约6ns，关断延迟约17ns）使得它适用于高达数MHz频率的开关电源拓扑结构，如Buck、Boost或SEPIC转换器。同时，输入电容仅为330pF，在高频工作时不会显著增加驱动电路的负担，有利于降低功耗和电磁干扰（EMI）。总体而言，CPH6601-TL是一款集高性能、小型化、低功耗于一体的先进MOSFET解决方案，广泛应用于现代便携式电子产品的电源管理系统中。

应用

CPH6601-TL主要应用于便携式消费类电子产品中的电源开关与负载控制，常见于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手环等设备的电池管理电路中，用于实现负载开关、电源路径切换和过流保护功能。它也常用于DC-DC转换器的同步整流部分，以提高转换效率并减少发热。此外，该器件适用于LED背光驱动电路、USB电源开关、热插拔控制器以及各类需要小型化MOSFET的嵌入式系统模块中。由于其支持逻辑电平驱动，因此非常适合与微控制器配合使用，执行精确的电源控制策略，如动态电压调节或多路电源分配。在工业传感器、IoT节点和无线通信模块中，CPH6601-TL可用于低功耗模式下的电源门控，以延长电池寿命。