类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：35A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
　　漏源击穿电压：1200V

IXSX35N120AU1 MOSFET 采用先进的沟槽栅极技术和高密度芯片设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高达1200V的漏源电压，适用于高压应用场景，如电源供应器、太阳能逆变器和电机驱动系统。此外，其高达35A的连续漏极电流能力使其能够处理大功率负载。该MOSFET具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定运行。TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成，适用于各种工业和电力电子设备。
　　该器件的栅极驱动特性也非常优秀，能够与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路的设计。其栅源电压为±20V，确保了器件在各种工作条件下的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET的开关速度快，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，特别适用于高频开关应用。

IXSX35N120AU1 主要用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。常见的应用包括DC-AC逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动器、高压直流电源转换系统以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效的能效表现和稳定的工作性能，该器件在新能源、工业控制、通信电源和消费类电源设备中都得到了广泛应用。

IXSH35N120AU1, IXSX35N120AFR, IXFN35N120AH1