IXST45N120B 是一款由 IXYS 公司生产的高功率、高电压 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极晶体管),适用于高频率和高功率应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通压降特性,具备良好的热稳定性和可靠性。IXST45N120B 通常用于工业电源、焊接设备、电机控制和电力电子变换器等领域。
类型:N 沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
最大集电极电流(IC):45A
短路电流能力:90A
导通压降(VCEsat):2.1V(典型值)
输入电容(Cies):2000pF(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
IXST45N120B 是一款高性能的 IGBT 器件,具有出色的电气特性和稳定性,适用于高功率和高频率的应用场景。
首先,其最大集电极-发射极电压(VCES)为 1200V,具备较强的耐压能力,适合高压工作环境。最大集电极电流(IC)为 45A,短路电流能力可达 90A,能够在高负载条件下保持稳定运行,适合需要高电流承受能力的应用。
其次,导通压降(VCEsat)的典型值为 2.1V,在同类器件中表现良好,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。这对于高频率开关应用尤为重要,有助于降低整体功耗并提升系统热管理性能。
此外,该器件的输入电容(Cies)为 2000pF,属于中等水平,有利于减少驱动电路的负载,提升开关速度和效率。IXST45N120B 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于各种恶劣环境,确保在高温和低温条件下都能稳定运行。
该器件采用 TO-247 封装,具备良好的散热性能,有助于提升器件在高功率工作状态下的可靠性。TO-247 是一种常见的功率器件封装形式,适用于多种 PCB 安装方式,并便于散热片安装。
综合来看,IXST45N120B 凭借其高耐压、高电流能力和低导通压降等特性,是一款适用于多种高功率和高频率应用的优秀 IGBT。其良好的热管理和稳定的工作性能,使其成为工业电源、电机控制、焊接设备和电力电子变换器等领域的理想选择。
IXST45N120B 主要应用于需要高功率和高频率的电力电子系统中。其高耐压和大电流能力使其适用于工业电源、变频器、电机驱动器和焊接设备等应用场景。在这些应用中,该器件能够实现高效的电能转换和控制,同时具备良好的热管理性能。此外,IXST45N120B 还可用于不间断电源(UPS)、逆变器和功率因数校正(PFC)电路中,为系统提供可靠的功率开关解决方案。
IXST45N120AF, FGA45N120ANTD, FGH45N120SMD