时间：2025/8/6 7:19:27
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IXST30N60B是英飞凌（Infineon）生产的一款功率MOSFET，属于CoolMOS?系列，主要用于高效率功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力，适用于电源、适配器、服务器电源、太阳能逆变器等应用。IXST30N60B采用TO-220封装，便于散热并适用于多种电路设计场景。
类型：功率MOSFET
制造工艺：CoolMOS?
封装类型：TO-220
最大漏极-源极电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：约0.15Ω（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
最大功耗(Pd)：140W
工作温度范围：-55°C~150°C
技术特性：N沟道增强型MOSFET
IXST30N60B作为英飞凌CoolMOS?系列的一员，具备出色的电热性能。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的超结（Super Junction）技术，在保持高耐压能力的同时，减小了芯片尺寸，提高了功率密度。
此外，该MOSFET具有优异的开关性能，能够支持高频工作，从而减小外部元件尺寸并提升系统响应速度。在高温环境下，其稳定的导通特性和良好的热阻性能确保器件长期可靠运行。
该器件还具备良好的短路耐受能力和过温保护特性，适用于各种高要求的工业和消费类应用。TO-220封装形式提供了良好的散热能力，便于安装和维护。
IXST30N60B广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、AC/DC适配器、服务器电源、工业电源、电机驱动、UPS不间断电源、太阳能逆变器和LED照明驱动等场景。由于其高耐压、低导通电阻和高可靠性，该器件特别适合需要高效能和高稳定性的应用环境。
IPW65R045CFD7S, STF30N60DM2, FDP30N60
