时间：2025/8/6 7:45:03
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IXSR40N60CD1 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率开关应用。该器件采用 TO-247 封装形式，具有良好的热性能和较高的电流承载能力，适用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制和电源管理系统等领域。该 MOSFET 的最大漏源电压为 600V，最大连续漏极电流可达 40A，具有较低的导通电阻和快速开关特性。
最大漏源电压(Vds)：600V
最大连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：典型值为 0.085Ω @ Vgs = 10V
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V 至 4.0V
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXSR40N60CD1 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该器件具有快速开关能力，能够适应高频开关环境，从而减小外部滤波元件的尺寸，提高系统响应速度。
另一个显著特性是其强大的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作，适用于对可靠性要求较高的工业和电源系统。该 MOSFET 采用坚固的硅技术，具备良好的热稳定性，并且在极端温度条件下仍能保持性能。
此外，IXSR40N60CD1 的封装设计有助于有效散热，TO-247 封装形式广泛用于高功率应用，具有良好的焊接性和机械稳定性。该器件还具备一定的抗雪崩能力，能够在突发高能量情况下提供额外的保护。
IXSR40N60CD1 主要用于需要高功率处理能力和高效能的电力电子设备中。例如，在工业电源和开关电源（SMPS）中，该 MOSFET 可作为主开关元件，实现高效的能量转换。
它也常用于 DC-DC 转换器和逆变器电路中，适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和电池管理系统等应用场景。
在汽车电子和工业自动化系统中，IXSR40N60CD1 可用于负载开关、功率调节和能量管理模块。由于其快速开关特性和低导通电阻，它特别适合高频开关环境，有助于减小电源系统的体积并提高整体效率。
此外，该器件也可用于各种电源管理和保护电路中，如过流保护、负载切换和功率因数校正（PFC）电路。
IXSH40N60CD1, IXSR32N60CD1, FDPF40N60
