时间：2025/9/1 10:23:59
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI 是由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该SRAM的存储容量为4Mbit，组织形式为16位宽度，适合用于需要高速数据访问的嵌入式系统和网络设备。该器件采用CMOS工艺制造，具有高性能、低功耗的特点。封装类型为TSOP，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保其在各种环境条件下的稳定运行。
类型：异步SRAM
容量：4Mbit
组织形式：x16
电源电压：2.3V至3.6V
访问时间：70ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装形式：TSOP
引脚数量：54
接口类型：并行
最大工作频率：约14.28MHz（对应70ns访问时间）
功耗：低CMOS功耗
数据保持电压：1.5V
IS66WVE4M16EBLL-70BLI 是一款高性能的异步SRAM，适用于需要高速数据存取和高可靠性的应用场合。其主要特性包括高速访问时间70ns，可支持高达14.28MHz的工作频率，满足许多高速缓存和数据缓冲应用的需求。该器件采用低功耗CMOS工艺制造，支持待机模式，显著降低功耗，非常适合电池供电或低功耗系统设计。此外，该SRAM具有宽电源电压范围（2.3V至3.6V），允许其在多种电源配置下稳定工作，并且兼容多种逻辑电压接口，提升了系统设计的灵活性。
该芯片还具备卓越的数据保持能力，在电源电压降至1.5V时仍能保持数据不变，非常适合需要长时间数据保存的应用。封装形式为54引脚TSOP，符合工业级温度范围（-40°C至+85°C）的要求，使其能够在严苛的环境条件下可靠运行。IS66WVE4M16EBLL-70BLI 常用于工业控制、网络设备、通信模块、嵌入式系统以及需要高性能缓存的场景。
IS66WVE4M16EBLL-70BLI 的高性能和低功耗特性使其适用于多种工业和通信设备。它广泛用于网络路由器和交换机中的数据缓存，工业自动化控制系统中的临时数据存储，以及嵌入式系统的主存储器或图形缓存。此外，该SRAM也常用于医疗设备、测试仪器、军事电子设备等对可靠性要求较高的场合。其宽温范围和高稳定性确保其在极端环境下的正常运行。
IS66WVE4M16EBLL-65BLI, IS66LV2048ALBLL-70BLI
