时间：2025/8/6 1:04:13
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IXSP24N60B是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和高功率应用。该器件具备较高的导通性能和较低的开关损耗，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：24A
最大功耗（Ptot）：125W
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V @ 250μA
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AB
IXSP24N60B具有优异的导通特性和低导通电阻，能够显著减少导通损耗，提高系统效率。其高耐压特性使其在600V的高电压环境下依然能够稳定工作。
该MOSFET采用了先进的平面技术，确保了良好的热稳定性和可靠性，能够在高功率密度应用中保持较低的温升。此外，该器件的开关特性优秀，具备较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
IXSP24N60B还具有良好的抗雪崩能力和过载能力，能够在短时间承受较大的电流冲击而不损坏，从而提高了器件的耐用性和系统的稳定性。其TO-220AB封装形式具备良好的散热性能，适用于需要高功率处理能力的电路设计。
另外，该MOSFET的栅极驱动要求较低，适合与多种驱动电路配合使用，简化了外围电路的设计复杂度，提高了整体系统的兼容性和可操作性。
IXSP24N60B广泛应用于各种高电压和高功率电子设备中，例如：电源转换器（如AC/DC、DC/DC转换器）、电机驱动器、逆变器、工业自动化控制系统以及家用电器中的电源管理模块。
在电源管理领域，该器件可作为主开关元件用于高效电源供应器的设计。在电机控制和驱动应用中，IXSP24N60B可以提供稳定的高电流输出，满足电机高速运行和负载变化的需求。
此外，该MOSFET也可用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等新兴领域的功率转换系统中，发挥关键的开关和调节作用。
STP24N60M5, FQA24N60, SPW24N60C3
