LTL1CHJETNN 时间：2025/9/6 6:22:14 阅读：30

LTL1CHJETNN 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具备低导通电阻和高耐压特性，适用于各种电源管理和DC-DC转换器应用。LTL1CHJETNN 采用小型表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　漏极电流（Id）：4A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：60mΩ（最大，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

LTL1CHJETNN 是一款高性能的N沟道MOSFET，具备多项优异特性。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。由于其栅极驱动电压为4.5V，适用于低电压逻辑电路直接驱动，无需额外的栅极驱动器。该器件具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能稳定工作。LTL1CHJETNN 采用SOT-23封装，体积小、重量轻，便于在空间受限的设计中使用。此外，该MOSFET具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。其优异的抗静电能力和过温保护特性，增强了器件的可靠性和寿命。

应用

LTL1CHJETNN 广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池供电设备中的负载开关、LED驱动电路、电机驱动电路以及便携式电子设备的电源管理模块。该器件特别适用于需要高效能、小尺寸和高稳定性的场合，如智能手机、平板电脑、无线充电设备、智能穿戴设备等。