LTL1CHJETNN 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,具备低导通电阻和高耐压特性,适用于各种电源管理和DC-DC转换器应用。LTL1CHJETNN 采用小型表面贴装封装,便于在高密度PCB设计中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
漏极电流(Id):4A(最大)
导通电阻(Rds(on)):60mΩ(最大,Vgs=4.5V)
功率耗散(Pd):1.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOT-23
LTL1CHJETNN 是一款高性能的N沟道MOSFET,具备多项优异特性。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。由于其栅极驱动电压为4.5V,适用于低电压逻辑电路直接驱动,无需额外的栅极驱动器。该器件具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能稳定工作。LTL1CHJETNN 采用SOT-23封装,体积小、重量轻,便于在空间受限的设计中使用。此外,该MOSFET具备较高的开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。其优异的抗静电能力和过温保护特性,增强了器件的可靠性和寿命。
LTL1CHJETNN 广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池供电设备中的负载开关、LED驱动电路、电机驱动电路以及便携式电子设备的电源管理模块。该器件特别适用于需要高效能、小尺寸和高稳定性的场合,如智能手机、平板电脑、无线充电设备、智能穿戴设备等。
Si2302DS、2N7002K、FDV301N、AO3400