IXSN55N12AU1 时间：2025/8/6 3:22:37 阅读：27

IXSN55N12AU1 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。该器件采用 TO-262 封装，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，广泛应用于工业电源、电机驱动、DC-DC 转换器、UPS 系统以及各种功率电子设备中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：120V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id（@25°C）：55A
　　导通电阻 Rds(on)：≤28mΩ
　　功率耗散 Pd：180W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-262

特性

IXSN55N12AU1 具有低导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（120V）使其适用于中高功率应用。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供快速开关性能，减少开关损耗，从而提升整体系统性能。此外，该器件具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下稳定运行。TO-262 封装设计提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该器件还具备高抗雪崩能力和出色的短路耐受能力，增强了系统可靠性。
　　在栅极驱动方面，IXSN55N12AU1 的栅极电荷较低，有助于减少驱动损耗并提高响应速度，适合用于高频开关电路。其栅极氧化层具有良好的耐久性，确保长时间运行的稳定性。该 MOSFET 还具有良好的并联能力，支持多管并联使用以满足更高电流需求。综合来看，IXSN55N12AU1 是一款高性能功率 MOSFET，适用于多种工业和电力电子应用。

应用

IXSN55N12AU1 主要用于电源转换系统，如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、不间断电源（UPS）、电池充电器和电机控制电路。它适用于高频率开关应用，如同步整流、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备中的功率模块。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器和电池管理系统（BMS）。由于其高可靠性和优异的热性能，IXSN55N12AU1 也广泛应用于高功率 LED 照明、太阳能逆变器和储能系统中。