时间：2025/8/5 13:08:14
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IXSN50N60UI 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于工业电源、开关电源（SMPS）、逆变器和马达控制等高功率场合。这款 MOSFET 的最大漏极电流为 50A，漏源击穿电压为 600V，采用了先进的 U-Channel 技术，以提高效率并降低导通损耗。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：50A
漏源击穿电压 (Vds)：600V
栅源击穿电压 (Vgs)：±30V
导通电阻 (Rds(on))：典型值为 0.18Ω
功率耗散 (Ptot)：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
IXSN50N60UI 的核心特性之一是其采用的 U-Channel 技术，该技术显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，使其适用于高功率密度的设计。其低栅极电荷（Qg）特性也使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
该 MOSFET 还具有出色的雪崩能量承受能力，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性和耐用性。其 TO-247AC 封装形式便于散热，并支持大电流通过，适用于需要高可靠性和高效率的工业级应用。此外，IXSN50N60UI 的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 10V 至 15V 之间工作，从而提供了灵活的驱动选项。
IXSN50N60UI 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、马达驱动器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备。其高耐压能力和大电流承载能力使其成为高压直流系统和光伏逆变器等新能源应用中的理想选择。在这些应用中，该器件能够提供高效、稳定的功率转换，并具备良好的热管理和过载保护能力。
STP55N60FI, FQA50N60, IRFPC50, FDPF50N60
