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IXSN50N60BD3 发布时间 时间:2023/3/6 14:24:53 查看 阅读:531

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: SOT-227B

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V


   

目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: SOT-227B

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 75 A

    封装: Tube

    配置: Single Dual Emitter

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 40 C

    安装风格: Screw


资料

厂商
IXYS

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IXSN50N60BD3参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 电流 - 集电极截止(最大)350µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)3.85nF @ 25V
  • 功率 - 最大250W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B