时间：2025/7/22 22:52:07
阅读：8
STGE50NB60HD是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高功率双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管系列。该晶体管设计用于高电压和高电流应用，能够承受较大的功率负荷，常用于电源转换器、工业控制系统、电机驱动和高功率放大器等领域。STGE50NB60HD采用了先进的制造工艺，确保了器件在高温和高电压环境下的稳定性和可靠性。其封装形式为TO-247，便于散热和安装，适用于需要高效能功率处理的电子系统。
晶体管类型：NPN型双极型晶体管（BJT）
最大集电极-发射极电压（Vce）：600V
最大集电极电流（Ic）：50A
最大功耗（Ptot）：180W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
增益（hFE）：典型值为20至80（具体取决于电流和电压条件）
饱和压降（Vce_sat）：典型值为1.7V（在Ic=50A时）
STGE50NB60HD晶体管具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其最大集电极-发射极电压为600V，能够在高压环境下稳定工作，适用于工业电源和高电压转换器等场景。其次，该晶体管的最大集电极电流可达50A，能够处理较大的电流负荷，适用于高功率放大器和电机驱动等需要高电流输出的应用。
此外，STGE50NB60HD的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，提高器件的稳定性和寿命。该晶体管的功耗为180W，表明其在高功率条件下仍能保持较好的热管理能力。
STGE50NB60HD的增益（hFE）范围为20至80，具体数值取决于工作电流和电压条件，能够提供足够的放大能力，适用于多种功率放大和开关应用。同时，其饱和压降（Vce_sat）典型值为1.7V，在高电流条件下仍能保持较低的压降，从而减少能量损耗，提高系统的整体效率。
该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的温度适应性，能够在恶劣环境中稳定运行。这使其适用于工业控制、电力电子设备、电机驱动器等对温度要求较高的应用场合。
STGE50NB60HD晶体管广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。
其主要应用之一是电源转换器和逆变器，如开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC Converter），能够高效处理高电压和高电流，确保系统的稳定运行。此外，该晶体管也常用于电机驱动系统，如工业自动化设备中的电机控制器，能够提供足够的电流输出以驱动高功率电机。
在工业控制系统中，STGE50NB60HD可用于功率放大和开关控制，适用于需要高可靠性的工业设备。同时，该晶体管也可用于音频功率放大器和其他高功率放大电路，提供高质量的信号放大能力。
由于其良好的热管理和耐高温特性，STGE50NB60HD还适用于需要长时间高负荷运行的电子设备，如不间断电源（UPS）、电焊机和电镀设备等。这些应用场景要求晶体管能够在高功率条件下保持稳定性和可靠性，而STGE50NB60HD正好满足了这些需求。
STGE60NC60D, STGE50NB60D, STGF5NC60DM2, STGF5NC60D
