时间：2025/8/6 3:56:29
阅读：30
IXSN30N100AU1是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET晶体管。该器件专为高功率和高频率应用而设计，适用于电源转换器、逆变器、电机控制和工业自动化等场景。IXSN30N100AU1具有优异的热性能和耐用性，能够在高温和高电压环境下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：1000V
漏极电流(Id)：30A（连续）
栅源电压(VGS)：±30V
导通电阻(RDS(on))：典型值0.27Ω
功率耗散(PD)：400W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXSN30N100AU1具备多项高性能特性。首先，其高耐压能力（1000V）使其适用于高压电源应用，能够承受较高的瞬态电压。其次，低导通电阻（0.27Ω）有助于降低导通损耗，提高能效。此外，该MOSFET支持高电流负载，漏极电流可达30A，适用于高功率输出的电路设计。
该器件采用TO-247封装，具有良好的热管理性能，便于散热并提高器件的可靠性。IXSN30N100AU1还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，从而减小电路中的磁性元件体积，提高整体系统效率。
此外，IXSN30N100AU1在极端温度条件下仍能保持稳定运行，适用于工业级环境。其栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路设计，提高了使用的灵活性。
IXSN30N100AU1广泛应用于各种高功率电子设备中，包括工业电源、直流-直流转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电焊设备等。此外，该器件还可用于高频率开关电路，如开关电源（SMPS）和谐振变换器，提供高效能的电力转换方案。
IXFH30N100P, IXSH30N100AU1, IXFN30N100P
