时间：2025/8/6 11:25:47
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IXSH40N60 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和逆变器等应用。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大漏极电流（ID）：40A
导通电阻（RDS(on)）：0.075Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：4V（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXSH40N60 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。在高压和大电流条件下，该 MOSFET 仍能保持稳定的性能。
此外，该器件具有较高的雪崩耐受能力，使其在高能量开关应用中具有良好的可靠性。这种能力有助于防止因电压尖峰或瞬态过压导致的损坏。
IXSH40N60 的封装设计优化了热管理，有助于将热量迅速传导出去，从而在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。这种良好的热性能使其适用于需要长时间高负荷运行的系统。
该 MOSFET 还具有快速开关特性，适用于高频开关应用。其低输入电容（CISS）和低反向恢复电荷（Qrr）有助于减少开关损耗，提高系统的整体能效。
另一个关键特性是其高栅极绝缘强度，能够承受高达 ±30V 的栅极-源极电压（VGS）。这种设计提供了更大的操作灵活性，并有助于防止栅极氧化层击穿。
由于其高性能和可靠性，IXSH40N60 在工业控制、电源转换、电机驱动和可再生能源系统等领域得到了广泛应用。
IXSH40N60 常用于各种高功率和高频开关应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS 系统、电机控制、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。该器件的高耐压和大电流能力使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。
IXFH40N60, IRFP460, FGA40N60, STP40NF60
