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IS61DDB22M18A-250M3L 发布时间 时间:2025/9/1 11:49:25 查看 阅读:7

IS61DDB22M18A-250M3L 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能、低功耗的特点,广泛应用于需要快速数据存取的系统中。IS61DDB22M18A-250M3L 采用256K x 18位的组织结构,容量为4.5Mbit,适用于高速缓存、网络设备、通信设备等对性能要求较高的应用场景。

参数

容量:4.5Mbit
  组织结构:256K x 18
  访问时间:250MHz
  供电电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:165-BGA
  数据宽度:18位
  接口类型:异步SRAM
  封装尺寸:17 x 19 mm

特性

IS61DDB22M18A-250M3L 的主要特性之一是其高速访问能力,访问时间仅为250MHz,使得该芯片能够满足高性能系统的数据存取需求。芯片采用了先进的CMOS技术,不仅提升了性能,同时在功耗方面也表现出色,适用于对功耗敏感的应用场景。
  该芯片的256K x 18位组织结构使其在数据存储容量和访问效率之间达到了良好的平衡。此外,芯片支持异步接口,提供了更大的灵活性,可以适应不同的系统设计需求。
  IS61DDB22M18A-250M3L 还具有广泛的电源电压范围(2.3V至3.6V),使其能够适应多种电源设计环境。工业级的工作温度范围(-40°C至+85°C)确保了芯片在极端环境下依然能够稳定运行。
  封装方面,IS61DDB22M18A-250M3L 采用165-BGA封装,尺寸为17 x 19 mm,适合高密度PCB布局,并且具有良好的热性能和电气性能,适用于各种高端应用。

应用

IS61DDB22M18A-250M3L 主要应用于需要高速缓存和快速数据访问的系统中,例如网络交换设备、通信基础设施、工业控制设备、测试测量仪器、图像处理系统以及嵌入式处理器系统。由于其高可靠性和宽温度范围,这款芯片也适用于恶劣工业环境下的设备。
  在网络设备中,IS61DDB22M18A-250M3L 可用作高速缓冲存储器,提高数据包转发效率;在图像处理系统中,它可以作为帧缓存用于快速读写图像数据;在嵌入式处理器系统中,该芯片可用于提升系统运行速度,满足对性能和实时性要求较高的应用需求。

替代型号

IS61DDB22M18B-250M3L

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IS61DDB22M18A-250M3L参数

  • 制造商ISSI
  • 存储容量36 Mbit
  • 组织2 Mbit x 18
  • Supply Voltage - Max1.9 V
  • Supply Voltage - Min1.7 V
  • 最大工作电流600 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体FBGA-165
  • 封装Tray
  • 接口HSTL
  • 最大时钟频率250 MHz
  • 存储类型DDR-II
  • 工厂包装数量105