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IXSH25N120AU1 发布时间 时间:2025/8/6 11:12:23 查看 阅读:26

IXSH25N120AU1 是由 Infineon Technologies 生产的一款高性能 IGBT(绝缘栅双极晶体管)器件,广泛应用于高功率电子系统中,如工业电机驱动、逆变器、电源转换器以及新能源汽车领域。该型号结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,能够在高电压和高电流条件下高效运行。IXSH25N120AU1 采用先进的沟道型IGBT技术,具有出色的热稳定性和可靠性,适用于需要高效率和高稳定性的功率转换应用。

参数

类型:IGBT(绝缘栅双极晶体管)
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):25A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  栅极驱动电压:15V(典型)
  短路耐受能力:有
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(在IC=25A时)
  封装尺寸:约5.7mm x 10.4mm x 4.5mm
  安装类型:通孔(Through Hole)

特性

IXSH25N120AU1 的核心特性包括其高耐压能力和高电流承载能力,使其能够在极端工作条件下稳定运行。该IGBT采用Infineon先进的Trench IGBT技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,从而提高了整体系统效率。此外,该器件具有优异的短路耐受能力,能够有效防止因短路故障引起的器件损坏,提高系统的安全性和可靠性。IXSH25N120AU1 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的性能,适用于高功率密度的设计。其TO-247封装形式便于散热设计,提高了散热效率,延长了器件的使用寿命。该器件还支持快速开关操作,降低了开关损耗,从而减少了对额外散热措施的需求。此外,IXSH25N120AU1 的栅极驱动电路设计简单,兼容标准的15V驱动电压,降低了控制电路的复杂性。
  在封装方面,IXSH25N120AU1 采用TO-247封装形式,具有良好的机械稳定性和电气连接性能,便于在PCB板上安装和固定。其封装设计优化了散热路径,使得器件在高负载条件下也能保持良好的热性能。TO-247封装还具备较强的耐压能力,适合用于高压功率转换系统。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于现代电子产品对环保材料的要求。

应用

IXSH25N120AU1 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电子系统中。例如,在工业自动化和电机驱动系统中,该IGBT可用于构建高性能的变频器和伺服驱动器,实现对电机速度和扭矩的精确控制。在可再生能源领域,IXSH25N120AU1 常用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块,将直流电转换为交流电并接入电网。在电动汽车和混合动力汽车中,该器件可用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及电机驱动系统,提供高效的能量转换和管理。此外,IXSH25N120AU1 还广泛应用于不间断电源(UPS)、焊接设备、电能质量调节装置等高功率应用中,满足对高可靠性和高效率的需求。

替代型号

IXSH25N120AU1 可以被 IXSH25N120AH1 或 IXSH25N120AG1 替代,具体取决于应用需求。

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IXSH25N120AU1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)4V @ 15V,25A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50A
  • 功率 - 最大200W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件